谁能扛起国产存储大旗？

资料显示，全球数据量从2010年的2ZB（1ZB代表十万亿亿个字节）增长到2021年的将近60ZB，十年时间翻了30倍，并预计2025年将继续增长至175ZB。其中互联网全球领先的中国，无疑将成为全球最大的数据圈。到2025年，中国数据量预计将增长至48.6ZB，占全球数据量的27.8%。

(相关资料图)

海量数据的涌现，正是当下人工智能爆发的前提和基石，同时极大地刺激了存储的需求。

从历史经验来看，存储芯片下跌周期一般在2年左右，其价格涨跌跟美元利率以及全球宏观经济景气度关系密切。

2021年下半年至今，存储芯片价格已经下跌了18个月，DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格下跌周期长达20个月之久。

按照过往规律，存储价格预计在今年第二季度到达谷底，随着美联储加息预期减弱带来的经济复苏预期，以及增量需求的大量涌现，行业有望在三季度之后触底反弹，完成困境反转。

【国产替代再迎契机】

中国是存储芯片消费的第一大国。2021年，我国存储芯片的市场规模达到5494亿元，占全球存储芯片市场份额超过55%。

但是，中国存储市场大部分都被外资品牌占据，国产存储芯片占比不足10%。目前，全球存储芯片的产能高度集中于日韩美等国家，其中DRAM主要被三星、海力士和美光三家垄断，2021年CR3达到94%，NAND Flash被三星、铠侠、海力士以及美光等六家厂商垄断，CR6为93%。

对于习惯了后发赶超的中国制造来讲，存储芯片领域较低的国产化率，本身就意味着较大的国产替代的空间，而自主可控和地缘因素，更为国产替代提供了重要契机。

3月31日晚间，国家互联网息办公室下设的“网络安全审查办公室”宣布，对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。

美光是美国存储芯片龙头，是全球第二大DRAM产商和第五大NAND厂商，截至2022年底，美光在全球DRAM和NAND闪存市场分别占据23%、10.7%的份额。

作为全球最大的存储芯片公司之一，美光被中国政府审查，其实远不止是安全问题。

最近几年来，不断有媒体爆出，美光是打压中国存储芯片产业的“幕后推手”。2018年至2022年，美光花了954万美元用于游说，目的就是为了打击中国的存储制造产业。

中国市场对美光极其重要。2018年，美光在中国一年的营收达到173.57亿美元，占到该公司当年总收入的58%，这也是美光害怕中国存储崛起的重要原因。

中国政府审查美光的底气，无疑是来自国产存储的崛起。

事实上，美光近年来在华销售收入已经大幅下降，2022年下降到33亿美元，占公司营收比重只有11%，存储芯片的国产替代已是大势所趋。

【谁能扛起大旗？】

如果美光在中国的业务受限，首先受益的自然是利基存储市场。

利基存储主要包含4Gb DDR4及以下的DRAM，2D NAND及NOR Flash、EEPROM等品类，毛利较低，市场规模远小于主流储存产品，但是相应技术壁垒也相对较低，国外巨头正在逐步退出这部分竞争，国内存储芯片设计公司正在逐步崛起。

在利基存储领域，兆易创新无疑是成长最快、实力最强的公司。

兆易创新的存储芯片营收中70%来自NOR闪存、利基型DRAM占比18%，其余小部分为NAND闪存，公司目前产品布局主要面向IPC、机顶盒、扫地机器人等物联网领域利基市场需求。

2012年到2021年，兆易创新NOR闪存全球市占率从3.4%提升至23%，排名全球第三，仅次于旺宏和华邦，NOR营收的年化复合增速高达30%左右。

在利基型DRAM车用存储领域，北京君正通过并购获得了后发赶超的优势。

2020年，北京君正72亿收购北京硅成半导体，后者在全球全球车用DRAM市场有15%的市场份额，居全球第二位，仅次于美光的40%，正是美光的国内市场的重要替代者。

但是，利基市场规模实在太小。2021年，NAND全球市场规模超过600亿美元，DRAM市场规模超过800亿，而NOR全球市场规模仅31亿美元，利基型DRAM也不过74亿，显然，光靠利基市场显然并不能真正实现储存芯片的国产替代，国产储存要真正崛起，还是得在主流产品领域和外国巨头直接竞争。

在主流的DRAM和NAND领域，兆易创新其实也有布局，并且已经取得一定进展，这是A股存储龙头未来的重大看点之一，但是目前其市场份额太小，还不足以和国外巨头竞争。

真正具备一定实力、能直接和国外巨头抗衡的，是两家还未上市的重要公司，成立于2016年的长鑫存储和长江存储。其中长鑫存储主攻DRAM内存，长江存储主攻NAND闪存。

长鑫存储最先进的量产芯片主要是19nm工艺的DDR4，和国际巨头相比落后5-6年。但是DRAM正在逐渐逼近10nm的天花板，其性能和技术提升的速度已经大幅放缓，这给长鑫存储等国产DRAM产业的加速追赶提供了难得的机遇期。

目前，长鑫存储国内市场份额估计已超过3%，初步打破了国际巨头对DRAM的垄断。

相对而言，国产NAND闪存的进程更快一些。

2019年，长江存储64层3D NAND闪存量产，这是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，标志着中国在3D NAND闪存领域逐步进入国际一流梯队，而中国制造的优势，也提升了国产NAND闪存的性价比。

最近两年来，在存储芯片的下行周期中，采用国产NAND闪存颗粒的固态硬盘（SSD）凭借超高的性价比逆势崛起，部分采用长江存储颗粒的2T SSD产品已降价至600元以下，甚至比三星的1T SSD还便宜。

2021年，长江存储在NAND领域的全球市占率已经达到4%，2022年估算达到7%，已经具备强大的行业竞争力。

自主可控的背景下，国内存储芯片企业要最终实现国产替代，国内上下游产业链的日益完善，是不可或缺的重要一环。

在上游设备领域，存储芯片对光刻机要求不高，但对刻蚀机要求比较高。一定程度上讲，中微公司在刻蚀机领域的崛起，是我国存储芯片行业的救命稻草。

目前，中微公司的刻蚀机最先进制程已经达到3nm，几乎可以满足最先进的存储芯片的生产。

下游的存储模组行业，江波龙和百维存储在全球市场也有较强竞争力，其中江波龙司eMMC及UFS在全球市场占有率为6.5%，全球第六，国内第一，佰维存储全球市占率2.4%，全球第八，国内第二。

两家公司的主要供应商，都包括美光。一旦美光被制裁，国内存储芯片企业有可能赢得更多的国内下游市场。

存储芯片的国产替代，如今已是国家战略，兆易创鑫、江波龙和佰维存储都陆续获得了国家大基金的投资，持股比例都在5%以上。

今年3月，国家大基金二期入股长江存储，认缴出资额高达128.87亿元人民币，持股比例超过12%。

科技自强、自主可控的举国体制下，国产存储芯片的春天，就在眼前。

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